陶瓷多芯片/低温共烧设计技术 (CERM)

陶瓷多芯片技术是一种先进的参数命令产生的嵌入式/激光可调电阻,电容,电感,多层腔和其他特殊元件。自动阻焊层发生器生成必要的额外电介质和复杂陶瓷类型基座的阻焊层, 并且可以为支持新的技术设置参数。

关键特性包括:

  • 各类陶瓷的支持;厚膜,共烧,薄膜 等..

  • 可以在一个陶瓷设计的两侧建立电路 和组件,

  • 智能链接引线键合机

  • 多个裸元晶·片可以通过有键合线或 倒装芯片(直接接触)连接

  • 可以设置冲压孔和空腔设计介电层

  • 结合设计附加导电和介电膏印刷

  • 材料库和编辑器包含了许多流行的工 业标准材料

  • 产生自定义三维键合线轮廓 (参见三维模块).


全自动智能产生元晶·: 

  • EPD 可以在设计中产生元晶从多个不同数据来源读取元晶信息,

    • MS Excel®, AutoCAD® DWG 或· DXF 设计 GDS 数据, DIE or LIQ 文件, 数码照片

    • 这些方法是:

      • 读取两种类型的标 准数据文件:.Liq和.Die

      • 用我们的 GDSII-的AutoCAD转换器将非智能元晶转换成只能元晶

      • 参数可以在对话框 中输入

      • 扫描DIE照片, 捕捉数据

      • 分析非智能 AutoCAD的DWG和DXF工艺设计图,也捕捉引脚名和信号名。

      • 输入制表符分隔的 文件中包含的坐标和模具的尺寸,并将其转换为LIQ文件(如由 Excel创建)

加装元晶模式控制:

  • 多行键合线组

  • 电源环的键合线连接

  • 嵌入信息对键合线材料,直径,长 度,角度等

  • 线径和长度控制

  • 指定单个或多个堆叠芯片键合线轮 廓。

  • 基板键合线脚垫控制

  • 元晶键合线脚垫控制

  • 内建键合线扇出型

  • 实时设计规则检查

Via Creation:

  • 通过灵活的贯通孔产生低温·共烧互 连技术,其中包括为所有技术产生贯通孔和盲/埋构成。

  • 贯通孔和盲/埋孔的组合为块,形成 阶梯状孔,隧道孔(以通孔类似的),直孔和螺旋孔。

  • 印刷电路板技术

    • 贯通孔

    • 盲/埋孔

  • 陶瓷/多芯片技术

    • 隧道(通孔)

    • 盲/埋孔

    • 形成阶梯状孔

    • 螺旋孔

Printed Resistors with Laser Trimming Kerf:

  • 用印刷电阻浆料一指定长宽比产生的印 刷电阻 (通常被称为油墨评为欧姆/平方。这减少大型传统电阻元件。

  • 在各种印刷电阻发功能包括:

    •  尺寸计算是基于设计规 则,和粘贴特性(电阻,高宽比,每个方形,每平方毫米瓦, 每平方毫米欧 姆)

    • 形状有长方形,帽形, 或直角(L形)

    • 过釉用其所需的重叠

    • 贯通孔遮挡空间,路径遮挡空 间

    • 处理烧制过程前后的公差前 和发射和调整值和公差

    • 可能需要打印多次以获得所 需的欧姆/平方

    • 基于最小/最大电阻的要求 计算几何形状

    • 基于材料的性能和覆盖区的瓦 数容量

    • 输出激光直接修整信息到激 光修剪机

    • 产生内层嵌入式元件智能网 表

Serpentine Resistors:

  • 阶梯调整大电阻

  • 自动生成最小/最大电阻值

  • 根据材料特性自动功率计算

  • 输出数据到激光切边机

多层空腔:

  • 参数控制系统产生顶层,层· 数,X&Y偏移和弯曲半径值

  • 从基片每边指定空腔层深度

  • 在层级空腔产生中定义多空腔偏移值

  • 参数指定贯通孔和走线遮挡空间

  • 无需贯通孔使连接元晶到内层

  • 为不经过贯通孔连接元晶到内层,陶 瓷低温共烧系统允许空腔的设计。以下是空腔允许功能。

    • 从基片每一侧面产生任何顺 利层深

    • 用支架的产生多偏移值阶梯 空腔

    • 参数指定贯通孔和走线的遮 挡空间

计算机辅助制造输出:

  • 计算机辅助制造自动设置包括::

  • Gerber 输出:

    • 关于任何点转动

    • X.Y 等比例或不等比例缩放

    • 按 X,Y轴镜像

    • 钻 (drill) 输出

    • 四种类型的打孔优化

    • 电路拼板

  • 冲切数据自动生成和机器兼容输出

  • 输出数据到键合线,环氧树脂分配和 元件贴片机